BUK969R3-100E,118 与 IPB083N10N3 G 区别
| 型号 | BUK969R3-100E,118 | IPB083N10N3 G | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A-BUK969R3-100E,118 | A-IPB083N10N3 G | ||
| 制造商 | Nexperia | Infineon Technologies | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK | |||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 功率耗散Pd | 263W | 125W | ||
| 宽度 | - | 9.25mm | ||
| 上升时间 | - | 42ns | ||
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V | ||
| Qg-栅极电荷 | - | 55nC | ||
| 输出电容 | 499pF | - | ||
| 栅极电压Vgs | 1.7V | ±20V | ||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 45S | ||
| 典型关闭延迟时间 | - | 31ns | ||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT404 | TO-263-3 | ||
| 工作温度 | 175°C | -55°C~175°C | ||
| 连续漏极电流Id | 100A | 80A | ||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||
| 配置 | - | Single | ||
| 系列 | - | OptiMOS3 | ||
| 输入电容 | 8739pF | - | ||
| 长度 | - | 10mm | ||
| 下降时间 | - | 8ns | ||
| 典型接通延迟时间 | - | 18ns | ||
| 导通电阻Rds(On) | 9.3mΩ@5V,8.9mΩ@10V | 8.3mΩ@73A,10V | ||
| 高度 | - | 4.4mm | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 0 | 0 | ||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BUK969R3-100E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 9.3mΩ@5V,8.9mΩ@10V 263W 175°C 1.7V 100V 100A |
￥14.6115
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0 | 当前型号 | ||||
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STB120NF10T4 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 312W(Tc) 10.5m Ohms@60A,10V -55°C~175°C(TJ) D2PAK N-Channel 100V 110A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRFS4410PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@58A,10V N-Channel 100V 96A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
|
AOB66920L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 100V 20V 80A 100W 8mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IRFS4410TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@58A,10V N-Channel 100V 96A D²PAK(TO-263AB) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||
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IPB083N10N3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
100V 80A 8.3mΩ@73A,10V ±20V 125W N-Channel -55°C~175°C TO-263-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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